研究課題
若手研究(A)
Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜作製時の課題であった硫化後の欠陥の抑制と組成制御について調査した。硫化後のドーム状欠陥改善のために、CZTプリカーサ作製時にあえて酸素を導入し、硫化時にその酸素と硫黄を置換させることにより、硫化時の体積増加を抑制した。その結果、ドーム状欠陥のない平坦なCZTS薄膜を得ることができた。次に、プリカーサ作製時に、Cu、Zn、Snを基板上にそれぞれ順番に成膜することにより、プリカーサの組成を制御した。その結果、組成制御されたCZTS薄膜で変換効率2%を得た。
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