研究課題
本年度はプロトタイプ検出器を用いた微分位相STEM法を用いて、セラミック界面構造解析の応用研究を行った。この手法は、材料中の電場情報を像コントラスト変化として画像中に表示することが可能であり、界面近傍の電場プロファイルを高分解能で観察できる可能性がある。この手法により強誘電体内部のドメイン構造を観察した結果、各ドメインが異なるコントラストで明瞭に観察された。この結果は、各ドメイン内部に電場変化が存在していることを示している。また、ドメイン界面近傍の観察を行った結果、界面には局所的に電場変化が存在しており、そのプロファイルから界面のポテンシャル構造を見積もることに成功した。この結果より、セラミック界面には特異な電場構造が存在することが実験的に明らかとなり、その制御が電子・イオン輸送などの制御に重要であることが示唆された。
25年度が最終年度であるため、記入しない。
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