研究課題
若手研究(A)
シリコンに代表される共有結合性の半導体単結晶は、簡単に割れてしまう為に大きく変形させることができないとされてきた。したがって、金属材料では常識となっている、強加工後の熱処理による「一次再結晶」も調べられては来なかった。本研究では、シリコンが融ける温度の近傍温度でプレス成型可能なことを実証し、それにより高密度に導入された転位の解消を駆動力とした一次再結晶について詳細に調べた。
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Materials Science Forum
巻: 783-786 ページ: 2474-2479 (6 pages)
10.4028/www.scientific.net/MSF.783-786.2474
応用物理
巻: 84 ページ: 128-131 (4 pages)
Applied Physics Express
ページ: 106501 (3 pages)
10.1143/APEX.4.106501