研究課題
若手研究(B)
半導体デバイスの製造工程において,論理的なモデルに基づく欠陥レベル見積と,製造されたデバイスにおける実際の欠陥レベルとの間の乖離が問題となっている. 本研究では,回路の論理的構造およびレイアウトデータに基づいて欠陥の発生確率を考慮し,欠陥レベルを高速かつ高精度に予測する手法について研究を行った.異なる欠陥粒径を考慮した重み付き故障カバレージ算出法,テストパターン並べ替えアルゴリズム,レイアウトデータを用いないクリティカルエリアの推定法,について検討し,評価を行った.実験結果から,高精度な欠陥レベル見積もり,およびテストパターン数削減が可能であることが示された.
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IEEJ Journal of Industry Applications
巻: Vol.3, No.4 (掲載決定)
IEICE Transactions on Information and Systems
巻: Vol.E96-D, No.1 ページ: 141-145