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耐酸化性に優れ、高いキャリア移動度を有することが報告されているピセンを低分子有機半導体に用い、まず、溶媒として用いる安息香酸誘導体液晶の相構造に与えるピセン添加の影響についてネマチック(N)相とスメクチック C(SmC)相に関して検討を行った。その結果、ピセンは N 相のような対称性が高い(配向性が低い)液晶相においては相構造を不安定化する効果は小さいが、対称性が低い(配向性が高い)結晶相や SmC 相においては相構造を大きく不安定化することが明らかとなった。そして、N 相を発現する安息香酸誘導体液晶を用いてピセン薄膜の作製を検討し、溶液プロセスによるピセン薄膜の作製に世界で初めて成功した。さらに、薄膜の表面形状に与える液晶溶媒の効果を検討したところ、溶媒が N 相を発現する温度で製膜すると、等方相を発現する温度で製膜した時に比べて、平滑な表面を有する薄膜を作製できることがわかった。さらに、適切な表面処理とパターニングを施すことにより所望の場所でのピセン薄膜作製を実現するとともに、作製したピセン薄膜が電界効果トランジスタデバイスとして動作することを確認した。また、微小なしわ構造を用いることにより薄膜内でのピセン結晶の成長方位を制御できる可能性があることを偏光顕微鏡観察により明らかにした。
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