研究課題
若手研究(B)
非極性溶媒中で分散したルブレン結晶の電場応答配向を観測した。AC 電場印加時、ルブレン結晶は結晶サイズに依存した閾値電圧以上で応答した。SiO2/Si 基盤上で、最大の双極子モーメントを有する結晶の長軸(b 軸) は、数十秒で電場印加方向に対して平行に回転した。液中で配向した結晶のFET は、b 軸方向で0.03~0.07 cm2/Vs であり、ばらつきの少ないキャリア移動度を示した。この配向制御技術は、大面積基板上での単結晶FET 素子作製への応用が期待できる。
すべて 2013 2011
すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件) 学会発表 (1件)
Matr. Chem. Phys.
巻: 137 ページ: 947-950