研究課題
若手研究(B)
本研究では、様々な面指数を有するGaAsを初期基板として窒化物半導体結晶の成長を行い、半極性面成長の検討を行った。平成23年度は、GaAs(113)A、(113)Bおよび無極性面GaAs(110)上へのInN成長を行い、その配向および双晶抑制メカニズムを解明した。平成24年度には、その他の指数面であるGaAs(112)A、(112)B、(114)A、(114)B上へのInN成長について検討を行った。その結果、当初の予想通りいずれの指数面上への成長においても比較的高温での成長においてはInN[0001]方向がGaAs[111]方向に平行となるように配向し、結晶表面には様々な面指数を有するInNを成長することに成功した。また、InNの極性による熱安定性の違いまたはキャリアガス中への微量水素添加を利用して結晶面内に発生する双晶の混入も抑制できることを明らかにした。
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