研究課題
若手研究(B)
Si(100)基板上にガスソース分子線エピタキシー法を用いて圧縮歪み Si/Si1-xCxヘテロ構造を形成するための結晶成長条件を系統的に調べ、結晶性の向上に不可欠である結晶欠陥・応力緩和過程に関する研究を行った。また、圧縮歪み Si 層をチャネル層とした p 型 MOSFET を作製し、動作確認と、正孔移動度の向上を確認した。
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Growth
巻: 362 ページ: 276-281
Appl. Phys. Lett
巻: 102 ページ: 011902
http://www.inorg.yamanashi.ac.jp/ccst/laboratories/nakagawa-lab