研究課題
若手研究(B)
近年、Siをベースとした赤外発光材料の開発が行われている。本研究では、Si基板上へErSiO化合物を成長し、その発光特性を調べた。簡単な真空蒸着法による試料作製の結果、Er3+イオンの4f殻電子系からの1.5 μm におけるErに関連する発光ピークを室温において観測することができた。ErSiOの結晶成長温度は1200度が最適であり、室温PL強度も強いことが分かった。XRD測定結果では、Er2SiO5と対応する回折ピークを確認したが、同時にEr酸化物やErシリサイドなどの回折ピークもみられた。今回観測されたPL発光は、ErSiO結晶中の特定のEr発光中心からの発光が支配的であると考えられる。
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