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液体窒素温度かつ磁場下において、実用レベルの臨界電流密度を有する希土類系高温超伝導(RE123)薄膜の作製を目指して、RE123薄膜中にナノサイズの柱状欠陥(ナノロッド)を導入した。ナノロッド導入RE123薄膜の臨界電流特性は成膜温度(Ts)に強く依存しており、Tsに依存したナノロッド形態と臨界電流特性の関係を明らかにした。また、臨界電流特性のTs依存性が超伝導母相組成によって異なることも明らかにした。さらに、超伝導母相に二種類の希土類元素を混合することにより、Tsに依存しない臨界電流特性を有するRE123薄膜の作製に成功した。
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