2012 年度研究成果報告書

遷移金属極薄膜直下におけるシリコン酸化促進反応の解析

研究課題

研究課題/領域番号	23760027
研究種目	若手研究(B)
配分区分	基金
研究分野	薄膜・表面界面物性
研究機関	横浜国立大学
研究代表者	大野真也横浜国立大学, 工学研究院, 特別研究教員 (00377095)
研究期間 (年度)	2011 – 2012
キーワード	シリコン / 光電子分光 / 酸化反応 / 遷移金属
研究概要	チタン吸着シリコン表面に室温で酸素分子を曝露するとシリコン基板での酸化反応が促進されることが分かった。この過程を解明するため、酸化層の厚さと酸化膜の組成に着目した。光電子分光法を用いて酸化層の厚みを定量化する場合には、平均自由行程が大きくなる光子エネルギーで測定を行うことが望ましい。組成の解析においては、注意が必要であることが分かった。この知見は、酸化シリコン表面上にチタンを吸着させた場合の解析によって得られた。