ＥＢＩＣ法と陽電子マイクロビーム法による半導体中欠陥の高度化解析システムの構築

2013 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 23760039
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 基金
• 研究分野: 薄膜・表面界面物性
• 研究機関: 独立行政法人日本原子力研究開発機構
• 研究代表者: 前川 雅樹 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門 先端基礎研究センター, 研究副主幹 (10354945)
• 研究期間 (年度): 2011 – 2013
• キーワード: 陽電子マイクロビーム / 空孔型欠陥 / 空間分布 / ＥＢＩＣ測定 / 欠陥準位 / 再結合中心 / イオン照射

研究概要

本研究は、我々が開発した世界最高レベルの収束度を持つ陽電子マイクロビーム装置に、電子ビーム誘起電流(EBIC)測定回路を付加することで、半導体試料に存在する欠陥の評価を行うことを目的とした。まずEBIC測定系を構築し、欠陥コントラストを検出しながら同時に陽電子消滅法で消滅γ線を測定するシステムを構築した。マスキングを施すことで部分的にHe照射したSi試料の測定では、EBIC法・陽電子法ともに照射領域でコントラストが発現した。消滅γ線の精密測定から欠陥構造を推定したところHe原子が充填された複空孔であることが分かり、キャリア再結合中心が空孔型欠陥と関連があることが分かった。

研究成果

• [雑誌論文] (2014)
  • 著者名/発表者名: M.Maekawa and A. Kawasuso
  • 雑誌名: JAEA-Review
  • 査読あり
• [雑誌論文] (2013)
  • 著者名/発表者名: M.Maekawa and A. Kawasuso
  • 雑誌名: JAEA-Review 巻: 2013-059 ページ: 146
  • 査読あり
• [雑誌論文] (2013)
  • 著者名/発表者名: M.Maekawa and A. Kawasuso
  • 雑誌名: Journal of Physics : Conference Series 巻: vol. 443 ページ: 012041(1-4)
• [雑誌論文] (2012)
  • 著者名/発表者名: M.Maekawa and A. Kawasuso
  • 雑誌名: JAEA-Review 巻: 2012-046 ページ: 140
  • 査読あり
• [学会発表] (2013)
  • 著者名/発表者名: 前川雅樹、河裾厚男
  • 学会等名: 第8回高崎量子応用研究シンポジウム
  • 発表場所: 高崎シティギャラリー(群馬)
  • 年月日: 20131000
• [学会発表] (2012)
  • 著者名/発表者名: 前川雅樹、河裾厚男
  • 学会等名: 第7回高崎量子応用研究シンポジウム
  • 発表場所: 高崎シティギャラリー(群馬)
  • 年月日: 20121000
• [学会発表] (2012)
  • 著者名/発表者名: 前川雅樹、河裾厚男
  • 学会等名: 応用物理学会
  • 発表場所: 愛媛大学(愛媛)
  • 年月日: 20120900
• [学会発表] (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Maekawa and A. Kawasuso
  • 学会等名: 16th International Conference of Positron Annihilation
  • 発表場所: ブリストル大学(英国)
  • 年月日: 20120800
• [学会発表] (2011)
  • 著者名/発表者名: 前川雅樹、河裾厚男
  • 学会等名: 第6回高崎量子応用研究シンポジウム
  • 発表場所: 高崎シティギャラリー(群馬)
  • 年月日: 20111000
• [備考]
  • URL: http://www.taka.jaea.go.jp/asrc/positron/index_j.html