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2011 年度 実施状況報告書

有機・無機半導体ヘテロ接合の結晶成長と電子構造モデル化

研究課題

研究課題/領域番号 23760293
研究機関早稲田大学

研究代表者

西永 慈郎  早稲田大学, 高等研究所, 助教 (90454058)

研究期間 (年度) 2011-04-28 – 2013-03-31
キーワード有機半導体 / 化合物半導体 / GaAs / MBE / 結晶成長 / 量子ドット / 太陽電池
研究概要

本年度はフラーレン添加GaAs結晶の光電流スペクトルと、フラーレン多価金属複合体・CuPcヘテロ構造の吸収係数の評価を行った。フラーレンをGaAs結晶中に添加すると電子トラップが形成され、そのトラップから電界によって電子が解放される。そこでフラーレン添加GaAs薄膜の光照射下におけるキャリア濃度測定を行った。フラーレンを添加していない結晶は波長が850nmよりも短い光のみ吸収が起きるが、フラーレンを添加したGaAs結晶は、波長1200nmの光を照射下においても、電子濃度が上昇し、抵抗率が減少した。これはフラーレンを添加することによって、GaAs結晶中に中間準位が形成され、中間準位を介して電子濃度が増えたためと考えられる。つまり、フラーレンが量子ドットとして機能していることを示している。今後はフラーレン添加GaAs薄膜をn型GaAs結晶上に作製し、Capacitance-Voltage 測定を行うことで、さらなるフラーレン量子ドットの物性評価を行い、量子ドット太陽電池として応用を目指す。有機半導体の結合力はvan der Waals力であるため、機械的・化学的強度が極めて脆弱であり、大気暴露することによって高抵抗化する。有機薄膜を改質する手法として、我々は多価金属を添加し、有機分子の光学的特性を残しつつ、機械的・化学的強度を飛躍的に上昇させることに成功した。そこで有機分子多価金属複合体薄膜を有機太陽電池に応用するため、太陽電池構造の吸収率を測定した。フラーレンCuPcバルクヘテロ構造の場合、有機分子間の相互作用は弱く、太陽電池構造の吸収スペクトルはフラーレンとCuPcの吸収スペクトルを足し合わせたものとなるが、多価金属を添加した場合の吸収スペクトルは可視光領域の吸収率が飛躍的に増大した。この吸収率の上昇は太陽電池としての動作改善に期待できる。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

無機半導体中に添加した有機分子量子ドットを用いた新規デバイスについては、研究計画通り進んでおり、次年度には量子ドット太陽電池と高速トランジスタへのプロトタイプ作製を狙う。一方、有機・無機複合体を用いた有機太陽電池は光起電力は確認しているが、効率向上に向けてのさらなる工夫が必要であり、バルクヘテロ構造を用いて電流増大を狙う。

今後の研究の推進方策

初年度の研究費によって、研究に必要な装置・環境を構築した。今後は有機太陽電池の劣化試験を行い、多価金属添加が太陽電池デバイスとしての機械的・化学的強度の増大をもたらすことを示す。この研究は"ロバストな有機太陽電池"への研究であり、産業応用上極めて重要であると考えている。有機分子量子ドットは、GaAs pin構造を用いることで量子ドット太陽電池だけに限らず、電流注入による発光デバイスとしての応用も図る。

次年度の研究費の使用計画

次年度の研究費は結晶成長に必要な消耗品(液体窒素、材料、基板代)と、SIMS、TEMの依頼測定の費用、国際学会にて発表するための旅費として使用する。

  • 研究成果

    (13件)

すべて 2012 2011

すべて 雑誌論文 (5件) (うち査読あり 5件) 学会発表 (6件) 図書 (2件)

  • [雑誌論文] Electrical properties of C60 and Si codoped GaAs layers2012

    • 著者名/発表者名
      J. Nishinaga
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B

      巻: 30 ページ: 02B116_1-4

    • DOI

      10.1116/1.3678205

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Excitonic absorption on AlGaAs / GaAs superlattice solar cells2012

    • 著者名/発表者名
      J. Nishinaga
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C

      巻: 9 ページ: 218-221

    • DOI

      10.1002/pssc.201100276

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Growth and characterization of C60/GaAs interfaces and C60 doped GaAs2011

    • 著者名/発表者名
      J. Nishinaga
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth

      巻: 323 ページ: 135-139

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2010.11.068

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effect of excitons on the absorption in the solar-cell with AlGaAs/GaAs superlattice grown by molecular beam epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      A. Kawahazuka
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth

      巻: 323 ページ: 504-507

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2010.12.051

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effect of excitons in AlGaAs / GaAs superlattice solar cells2011

    • 著者名/発表者名
      J. Nishinaga
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 50 ページ: 052302_1-5

    • DOI

      10.1143/JJAP.50.052302

    • 査読あり
  • [学会発表] フラーレン添加GaAs薄膜の電気的特性2012

    • 著者名/発表者名
      西永慈郎
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会(招待講演)
    • 発表場所
      早稲田大学、東京
    • 年月日
      3月15日-18日、2012
  • [学会発表] Excitonic absorption on AlGaAs / GaAs superlattice solar cells2011

    • 著者名/発表者名
      J. Nishinaga
    • 学会等名
      38th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Berlin, Germany
    • 年月日
      May 22 - 26, 2011
  • [学会発表] Electrical properties of C60 and Si codoped GaAs layers2011

    • 著者名/発表者名
      J. Nishinaga
    • 学会等名
      28th North American Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      San Diego, USA
    • 年月日
      August 14-17, 2011
  • [学会発表] Electrical properties of C60 delta-doped GaAs, AlGaAs layers2011

    • 著者名/発表者名
      J. Nishinaga
    • 学会等名
      Villa Conference on Interactions among Nanostructures(招待講演)
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • 年月日
      April 21-25, 2011
  • [学会発表] C60, Si codoped GaAs薄膜の結晶学的・電気的特性2011

    • 著者名/発表者名
      西永慈郎
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学、山形
    • 年月日
      8月29日-9月2日、2011
  • [学会発表] Electrical properties of C60 and Si codoped GaAs layers2011

    • 著者名/発表者名
      西永慈郎
    • 学会等名
      第30回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖、滋賀県
    • 年月日
      6月29日-7月1日、2011
  • [図書] Crystal Growth: Theory, Mechanism, and Morphology2012

    • 著者名/発表者名
      J. Nishinaga
    • 総ページ数
      27
    • 出版者
      Nova Science Publishers
  • [図書] Molecular Beam Epitaxy: From Quantum Wells to Quantum Dots, From Research to Mass Production2012

    • 著者名/発表者名
      J. Nishinaga
    • 総ページ数
      分担執筆 印刷中
    • 出版者
      Elsevier

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公開日: 2013-07-10  

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