• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

2012 年度 研究成果報告書

有機・無機半導体ヘテロ接合の結晶成長と電子構造モデル化

研究課題

  • PDF
研究課題/領域番号 23760293
研究種目

若手研究(B)

配分区分基金
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関早稲田大学

研究代表者

西永 慈郎  早稲田大学, 高等研究所, 准教授 (90454058)

研究期間 (年度) 2011 – 2012
キーワード有機・無機半導体ヘテロ界面 / フラーレン / GaAs / MBE
研究概要

フラーレンC_<60>はサッカーボール型の対称性の優れた分子であり、他の材料と組み合わせることで、サイズが均一な量子ドットを作製できる可能性がある。本研究はC_<60>と発光素子や高速トランジスタとして利用されるGaAsを組み合わせた、新しい電子デバイスの開発を目標に研究を行った。C_<60>とGaAsは結晶構造が大きく異なるため、ヘテロ構造の結晶成長は難しいものと考えられていたが、低温結晶成長法によって理想的なヘテロ界面の作製に成功した。GaAs 結晶中のC_<60>は本来の電子構造をそのまま残し、GaAs結晶から電子をもらって、その電子を電界や光によって放出することが明らかになった。この現象は今後、高速トランジスタにメモリの機能を加えることや、高感度の光検出器への応用が期待できる。

  • 研究成果

    (11件)

すべて 2013 2012 2011 その他

すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 3件) 学会発表 (3件) 図書 (2件) 備考 (1件) 産業財産権 (2件)

  • [雑誌論文] Crystalline and electrical characteristics of C_<60> uniformly doped GaAs layers2013

    • 著者名/発表者名
      J. Nishinaga and Y. Horikoshi
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth

    • DOI

      DOI:10.1016/j.jcrysgro.2012.12.044

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electrical properties of C_<60> and Si codoped GaAs layers2012

    • 著者名/発表者名
      J. Nishinaga and Y. Horikoshi
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B

      巻: 30 ページ: 02B116

    • DOI

      DOI:10.1116/1.3678205

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Growth and characterization of C_<60>/GaAs interfaces and C60 doped GaAs2011

    • 著者名/発表者名
      J. Nishinaga and Y. Horikoshi
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth

      巻: 323 ページ: 135-139

    • DOI

      DOI:10.1016/j.jcrysgro.2010.11.068

    • 査読あり
  • [学会発表] Crystal growth and structural characteristics of fullerene2012

    • 著者名/発表者名
      J. Nishinaga
    • 学会等名
      GaAs interfaces, Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
    • 発表場所
      Orlando, USA
    • 年月日
      20121211-14
  • [学会発表] Electrical characteristics of C_<60> doped GaAs layers grown by MEE2012

    • 著者名/発表者名
      J. Nishinaga and Y. Horikoshi
    • 学会等名
      17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      Nara, Japan
    • 年月日
      20120923-28
  • [学会発表] フラーレン添加GaAs薄膜の電気的特性2012

    • 著者名/発表者名
      西永慈郎、堀越佳治
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • 年月日
      20120315-18
  • [図書] Growth and characterization of fullerene/GaAs interfaces and C_<60> doped GaAs and AlGaAs layers, Molecular Beam Epitaxy: From Quantum Wells to Quantum Dots, From Research to Mass Production (Editor: M. Henini)2012

    • 著者名/発表者名
      J. Nishinaga
    • 総ページ数
      559-578
  • [図書] Growth and characterization of fullerene/GaAs interfaces and C_<60> doped GaAs layers, Crystal Growth: Theory, Mechanism, and Morphology (Editors: N. A. Mancuso and J. P. Isaac)2012

    • 著者名/発表者名
      J. Nishinaga and Y. Horikoshi
    • 総ページ数
      235-261
  • [備考] 早稲田大学研究者データベース

    • URL

      https://www.wnp7.waseda.jp/Rdb/app/ip/ipi0211.html?lang_kbn=0&kensaku_no=4835

  • [産業財産権] 太陽電池2013

    • 発明者名
      小野満恒二、山口浩司、河原塚篤、藤田実樹、西永慈郎、堀越佳治
    • 権利者名
      小野満恒二、山口浩司、河原塚篤、藤田実樹、西永慈郎、堀越佳治
    • 産業財産権番号
      特許2013-054639
    • 出願年月日
      2013-03-18
  • [産業財産権] 太陽電池2013

    • 発明者名
      小野満恒二、山口浩司、河原塚篤、藤田実樹、西永慈郎、堀越佳治
    • 権利者名
      小野満恒二、山口浩司、河原塚篤、藤田実樹、西永慈郎、堀越佳治
    • 産業財産権番号
      特許2013-061464
    • 出願年月日
      2013-03-25

URL: 

公開日: 2014-09-25  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi