研究課題
若手研究(B)
強磁性絶縁体EuSを障壁層とした磁気トンネル接合においてはスピンフィルター効果によって磁気抵抗効果が発現すると期待できる。本研究では、強磁性EuS、Ge1-xMnxTe層に反強磁性MnTe層を付与した接合構造を提案し、分子線エピタキシー法を用いた作製条件を明らかにした。また、EuSにTeを添加することによって磁化特性を調整することができた。さらに提案した構造の強磁性／反強磁性層間には明瞭な交換バイアスが生じないことが分かった。
電気・電子材料
