研究課題
若手研究(B)
光通信帯では、全ての物質の比透磁率μは1であり"透磁率の制御"という概念は存在しない。レーザ・変調器・スイッチなどに代表される従来の光通信素子が、誘電率のみを制御することで動作特性を得ていることは、この事実の裏返しともいえる。本研究では、光通信素子において、この制約を超える-すなわち誘電率と透磁率で与えられる材料定数を2次元的に制御する-ことで、光メモリのような従来技術では実現が難しい素子特性が実現することを目的とする。その前段階として、半導体キャリアを利用することにより、透磁率の制御によるInP系導波路型スイッチを作製し6.9dBの強度変化を得ることに成功した。また、新しい解析手法も提案し、実験データと合わせることで詳細な理論解析ができるようになった。
すべて 2013 2012 2011 その他
すべて 雑誌論文 (15件) 学会発表 (7件) 図書 (1件) 備考 (1件)
EEE Photonics Technol.Lett.
巻: Vol.25 No.8 ページ: 728-730
Jpn.J.Appl.Phys
巻: Vol.51 No.12 ページ: 120203
IEEE Journal of Quantum Electronics
巻: Vol.48 No.8 ページ: 971-979
J.Opt.Soc.Am.B
巻: Vol.29 No.8 ページ: 2110-2115
Optics Lett.
巻: Vol.37 No.12 ページ: 2301-2303
IEEE Photonics Technol. Lett
巻: Vol.24 No.11 ページ: 888-890
IEEE J. Quantum Electron
巻: Vol.48 No.5 ページ: 688-695
巻: Vol.50 No.12 ページ: 120208
IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron
巻: Vol.17 No.5 ページ: 1175-1182
巻: Vol.23 No.18 ページ: 1349-1351
Japanese Journal of Applied Physics (JJAP)
巻: Vol. 50No. 7 ページ: 070203-1-070203-3
巻: Vol.36 No.12 ページ: 2327-2329
IEEE J. Quantum Electronics
巻: Vol.47, No.5 ページ: 736-744
巻: Vol.50, No.2 ページ: 020206-1-020206-3,
Opt.Express
巻: Vol.19, No.3 ページ: 1884-1891
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/researcherinfo.cgi?q_researcher_content_number=CTT100576433