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2013 年度 実績報告書

低エミッタンス・短パルス半導体フォトカソードの開発

研究課題

研究課題/領域番号 23760310
研究機関名古屋大学

研究代表者

金 秀光  名古屋大学, 高等研究院, 特任助教 (20594055)

キーワード半導体フォトカソード / 応答性
研究概要

半導体フォトカソードの応答性は、励起電子の拡散過程により決められる。速い応答性を得るためには、フォトカソードに内部電界を印加し、電子のトランジスタを速くする方法がある。申請者は活性層をAl0.2Ga0.8As層よりGaAs層まで、5つのステップに分けて、Alの組成を下げた。隣接した活性層にはバンドギャップの違いにより、界面に電界が生じる。
測定結果、傾斜型AlGaAs試料のデールはバルクAlGaAsのそれより明らかに短くなった。この効果は、拡散モデルに内部電界を組み合わせることで説明できる。内部電界は活性層の界面に生じ、界面での励起電子の分布を前に進ませる。前向きの電子分布は電子の拡散に有効であり、応答性が速くなる。内部電界は量子効率にも有効である。523 nm励起光において、傾斜型AlGaAsの量子効率は13%であり、バルクAlGaAsの8%の量子効率に比べ明らかな向上である。

  • 研究成果

    (8件)

すべて 2014 2013

すべて 雑誌論文 (4件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (4件)

  • [雑誌論文] Precise measurement of residual strain in superlattice layers by nano-beam electron2014

    • 著者名/発表者名
      X.G. Jin, H. Nakahara, K. Saitoh, N. Tanaka, Y. Takeda,
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 104 ページ: 113106

    • DOI

      10.1063/1.4869030

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Picosecond electron bunches from GaAs/GaAsP strained superlattice photocathode2013

    • 著者名/発表者名
      X.G. J in, S. Matsuba, Y. Honda, T. Miyajima, M. Yamamoto, T. Utiyama, Y. Takeda
    • 雑誌名

      Ultramicroscopy

      巻: 130 ページ: 44-48

  • [雑誌論文] Phase-locking of oscillating images using laser-induced spin-polarized pulse TEM2013

    • 著者名/発表者名
      M. Kuwahara, Y. Nambo, S. Kusunoki, X.G. Jin, T. Nakanishi, K. Saitoh, H. Asano, T. Ujihara, Y. Takeda, T. Nakanishi, N. Tanaka
    • 雑誌名

      Microscopy Advance Access

      巻: 62 ページ: 607-614

  • [雑誌論文] Temporal Response Measurements of GaAs-Based Photocathodes2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Honda, S. Matsuba, X.G. Jin, T. Miyajima, M. Yamamoto, T. Uchiyama, M. Kuwahara,
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 52 ページ: 086401

    • DOI

      10.7567/JJAP.52.086401

    • 査読あり
  • [学会発表] LEEM and AES study of negative electron affinity GaAs photocathode degradation process2013

    • 著者名/発表者名
      X.G. Jin, A. Cotta, G. Chen, A. N`Diaye, A. K. Schmid, Y. Takeda
    • 学会等名
      9th International Symposium on Atomic Level Characterization for New Materials and Devices
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • 年月日
      20131202-20131206
  • [学会発表] High performance spin-polarized photocathode using GaAs/GaAsP strain-compensated superlattice2013

    • 著者名/発表者名
      X.G. Jin, N. Yamamoto, A. Mano, M. Yamamoto, Y. Takeda
    • 学会等名
      The 2013 International Workshop on Polarized Sources, Targets & Polarimetry
    • 発表場所
      The University of Virginia, USA
    • 年月日
      20130909-20130913
  • [学会発表] ovel development of very high brightness and highly spin-polarized electron gun with compact 3D spin manipulator for SPLEEM2013

    • 著者名/発表者名
      T. Koshikawa, T. Yasue, M. Suzuki, K. Tsuno, S. Goto, X.G. Jin and Y. Takeda
    • 学会等名
      IVC-19/ICSS-15 AND ICN+T
    • 発表場所
      Paris, France
    • 年月日
      20130909-20130913
  • [学会発表] Nano-scale characterization of GaAsP/GaAs strained superlattice structures by nano-beam electron diffraction2013

    • 著者名/発表者名
      X.G. Jin, H. Nakahara, K. Saitoh, N. Tanaka, Y. Takeda
    • 学会等名
      17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      Poland
    • 年月日
      20130811-20130816

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公開日: 2015-05-28  

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