研究課題
若手研究(B)
速い応答性を得るためには、フォトカソードに内部電界を印加し、電子のトランジスタを速くする方法がある。申請者は活性層をAl0.2Ga0.8As層よりGaAs層まで、5つのステップに分けて、Alの組成を下げた。隣接した活性層にはバンドギャップの違いにより、界面に電界が生じる。傾斜型AlGaAs試料のデールはバルクAlGaAsのそれより明らかに短くなった。この効果は、拡散モデルに内部電界を組み合わせることで説明できる。523 nm励起光において、傾斜型AlGaAsの量子効率は13%であり、バルクAlGaAsの8%の量子効率に比べ明らかな向上である。
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Appl. Phys. Lett
巻: 104 ページ: 113106
Appl. Phys. Express
巻: 6 ページ: 015801
J. Cryst. Growth
巻: 370 ページ: 204
Ultramicroscopy
巻: 130 ページ: 44-48
Jpn. J. Appl. Phys
巻: 52 ページ: 086401
Microscopy Advance Access
巻: 62 ページ: 607-614
巻: 51 ページ: 046402
Growth
巻: 353 ページ: 84
巻: 51 ページ: 108004
巻: 101 ページ: 033102