研究課題
若手研究(B)
ナノ空間を利用した新規不揮発性記憶素子の実用化基盤技術について研究を行った.白金,タングステンなどの高融点金属からなるナノギャップメモリーを作製し,抵抗スイッチ効果を確認し,特性を明らかにした.また,ナノギャップメモリー構造の結晶性制御にとりくみ,単結晶化ナノ電極の新規作製法を開発した.
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