局在構造計測による炭素系ワイドギャップ半導体の電極界面構造と電流輸送特性の相関

2012 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 23760622
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 基金
• 研究分野: 金属物性
• 研究機関: 東北大学
• 研究代表者: 着本 享 東北大学, 原子分子材料科学高等研究機構, 講師 (50346087)
• 研究期間 (年度): 2011 – 2012
• キーワード: 電極界面 / 原子構造 / 電気特性

研究概要

半導体素子の高性能化に向けてプロセス技術で形成される格子欠陥やヘテロ界面構造を把握することは、電子輸送など特性や構造を制御する上で不可欠である。本研究は電子顕微鏡技術を用いてシリコンカーバイド素子化に伴うイオン注入技術で導入される格子欠陥やコンタクト電極における原子構造を計測した。特に電極界面の原子構造と輸送特性との相関を明らかにし、原子分解構造計測技術と定量的な理論計算との併用が素子の研究開発に有用であることを示した。

研究成果

• [雑誌論文] Terraces at ohmic contact in SiC electronics: Structure and electronic states (2012)
  • 著者名/発表者名: Z.C. Wang、M. Saito、S. Tsukimoto、Y.Ikuhara
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 111巻 ページ: 113717(1-8)
  • DOI: DOI:10.1063/1.4729074
  • 査読あり
• [雑誌論文] Heterointerface : atomic structures ・electric states and related properties (2011)
  • 著者名/発表者名: Z.C. Wang、M. Saito、S. Tsukimoto、Y.Ikuhara
  • 雑誌名: Journal of the Ceramics Society of Japan 巻: 119巻 ページ: 783-793
  • DOI: DOI:10.2109/jcersj2.119.783
  • 査読あり
• [学会発表] デラフォサイト型CuScO_2薄膜における微細構造及び欠陥構造 (2012)
  • 著者名/発表者名: 着本享(他8名)
  • 学会等名: 第151回日本金属学会秋期大会
  • 発表場所: 愛媛大学
  • 年月日: 2012-09-18
• [学会発表] Atomic and electronic structures in perovskite- related LaTiO_<3.41> (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Tsukimoto(他6名)
  • 学会等名: The 3rd International Symposium on Advanced Microscopy and Theoretical Calculations (AMTC3)
  • 発表場所: Gifu (Japan)
  • 年月日: 2012-05-09
• [学会発表] Insulating-layer- induced insulator-metal transition in La-doped STO ceramics (2011)
  • 著者名/発表者名: S. Tsukimoto
  • 学会等名: The 9th International Meeting of Pacific Rim Ceramic Society
  • 発表場所: Cairns (Australia)
  • 年月日: 2011-07-14
• [学会発表] Atomic-scale characterization of Ti3SiC2 MAX phase grown on SiC (2011)
  • 著者名/発表者名: S. Tsukimoto
  • 学会等名: The 9th International Meeting of Pacific Rim Ceramic Society
  • 発表場所: Cairns (Australia)
  • 年月日: 2011-07-12
• [図書] 「ポストシリコン半導体-ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果-」編、分担:半導体薄膜およびヘテロ界面の原子構造評価～SiCを例に～ (2013)
  • 著者名/発表者名: 着本享, 他(2名)
  • 総ページ数: 405-423
  • 出版者: エヌ・ティー・エス出版