三族窒化物微細単結晶をテンプレートとした無極性面量子井戸構造の創製

2012 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 23760636
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 基金
• 研究分野: 無機材料・物性
• 研究機関: 静岡大学
• 研究代表者: 坂元 尚紀 静岡大学, 工学研究科, 助教 (80451996)
• 研究期間 (年度): 2011 – 2012
• キーワード: 力学 / 電子 / 電磁 / 光 / 熱物性 / III族窒化物

研究概要

シングルパス供給法ならびにダブルパス供給法により AlInN エピタキシャル成長を試みた。シングルパス法ではエピタキシャル成長が困難となってしまうものの、柱状 InN の成長ならびに Al の固溶が示唆された。ダブルパス供給法では成膜条件の大幅な変化などのために基板上に薄膜が生成されなかったが、原料混合比の制御と反応温度の制御により InN を 0～15%の範囲で固溶させた AlInN 薄膜の作製に成功した。

研究成果

• [学会発表] APHCVD 法により作製された柱状 InN 結晶の結晶成長と配向性評価 (2013)
  • 著者名/発表者名: 坂元 尚紀・村瀬 智宏・小金 達也・脇谷 尚樹・鈴木 久男
  • 学会等名: 公益社団法人日本セラミックス協会 第26回秋季シンポジウム
  • 発表場所: 信州大学 (長野キャンパス)
  • 年月日: 20130904-06
• [学会発表] 大気圧ハライドCVD 法で作製したフラワー状窒化インジウムの成長メカニズム (2012)
  • 著者名/発表者名: 小金 達也・杉浦 永・坂元 尚紀・脇谷 尚樹・符 徳勝・鈴木 久男
  • 学会等名: 第28回 日本セラミックス協会 関東支部研究発表会
  • 発表場所: 静岡大学浜松キャンパス
  • 年月日: 20120808-09
• [学会発表] APHCVD 法により作製された柱状InN 結晶の成長メカニズムにおよぼす単結晶基板の影響 (2012)
  • 著者名/発表者名: 坂元尚紀・村瀬智宏・杉浦永・脇谷尚樹・鈴木久男
  • 学会等名: 公益社団法人日本セラミックス協会第2回関東支部若手研究発表交流会
  • 発表場所: 早稲田大学(西早稲田キャンパス)
  • 年月日: 2012-10-13
• [学会発表] 大気圧ハライド CVD 法による AlInN の作製 (2012)
  • 著者名/発表者名: 廣瀬将成・坂元尚紀・脇谷尚樹・鈴木久男
  • 学会等名: 公益社団法人日本セラミックス協会 第25回秋季シンポジウム
  • 発表場所: 名古屋大学 (東山キャンパス)
  • 年月日: 2012-09-19
• [学会発表] Morphological control of aluminum nitride by atmospheric pressure halide chemical vapor deposition (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Hirose, N. Sakamoto, N. Wakiya, and H. Suzuki
  • 学会等名: Joint Conference of 5th International Conference on Science and Technology for Advanced Materials Development and Integration of Novel Structured Metallic and Inorganic Materials
  • 発表場所: Mielparque yokohama
  • 年月日: 20110622-24