多結晶SiCナノチューブをイオン照射することにより、単結晶、微結晶及びアモルファスSiCナノチューブの合成に成功した。イオン種を変化させて系統的に照射することにより、照射イオンの原子量が増加するとともに、多結晶SiCナノチューブを完全にアモルファス化するために必要な照射量は、減少することを明らかにした。また、多結晶SiCナノチューブの前面に、マスクを設置してイオン照射を行うことで、一本のナノチューブ内に、多結晶と微結晶、及び、多結晶とアモルファス相が、それぞれ混在している二種類のヘテロ構造SiCナノチューブの合成にも成功した。
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