|
本研究では、ガラス基板上に形成した非晶質シリコン(a-Si)膜を、ミリ秒台の瞬間熱処理であるフラッシュランプアニール(FLA)により結晶化する太陽電池用多結晶Si膜形成において、高効率化に不向きなCr密着層を用いずに、Si膜の剥離を抑制する技術の確立を目的とした。凹凸構造をもつ透明導電膜付きガラス基板上に、膜厚3.5μmのa-Si膜を製膜してFLAを行うことで、Cr膜を用いなくても、膜剥がれ無くa-Si膜の結晶化が可能であることを明らかにした。また、この成果により、ガラス基板側から光を入射する、スーパーストレート型太陽電池実現の可能性が示された。
|
