研究課題
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セリウム(Ce)三元化合物CeT2Al10(T=Ru, Os)は、近藤半導体で初めて反強磁性転移を示す。転移温度がそれぞれ27 K, 28.5Kと高いことから、CeT2Al10は従来のCe化合物とは異なる機構で反強磁性に転移すると期待されている。この新奇な反強磁性秩序機構を解明するため、中性子散乱実験、光電子分光実験、およびTやAl原子を他の元素で置換した効果を調べた。本研究によって、CeT2Al10の磁気転移は、特異な電子構造とc-f 混成の異方性によって引き起こされていることがわかった。
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