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2012 年度 実績報告書

ハイドライド気相成長法による低転位非極性面GaN基板の作製技術の開発

研究課題

研究課題/領域番号 23860033
研究機関山口大学

研究代表者

山根 啓輔  山口大学, 理工学研究科, 助教 (80610815)

研究期間 (年度) 2011-08-24 – 2013-03-31
キーワード窒化物半導体基板 / 半極性面 / ハイドライド気相成長 / 転位
研究概要

ハイドライド気相成長(HVPE)法を用いて、高効率発光素子材料として期待される非極性{10-11}面、{11-22}および{20-21}面GaN基板の作製を行った。まず、{10-11}面GaNでは厚膜化に伴い、欠陥密度が急激に減少することを明らかにした。初期状態では、転位がストライプ状に密集したのに対し、HVPE成長による厚膜化を行うと、転位が分散しながら減少していくことを確認した。転位密度は、{10-11}面において典型値1x10^7 cm^-2、さらに最も低い所では7x10^6 cm^-2であり、本研究目的で掲げた目標を達成した。
次に、サファイア加工基板上と従来サファイア基板上において、厚膜成長した際の自発分離機構の違いを明らかにした。すべての面方位において、数100 um以上の成長に伴い、サファイア加工基板とGaN層の界面において自発分離の兆候が見られた。この結果は、GaN層中で分離するc面の場合とは明らかに異なり、成長したすべてのGaN層を基板として用いることができる。本研究で実証した加工基板を用いた非極性面GaNの自発分離は、これまで報告例がないことから、非極性面GaN基板の作製のための重要な知見が得られたといえる。
最後に、成長条件の最適化・基板研磨を行い、デバイス化を実証した。成長前段階で、SiO2ストライプマスクを形成し、HVPE成長を行った。異常成長部の核となる部分をSiO2ストライプマスクによって止めることにより、基板全面に渡って平坦なGaN層を得ることに成功した。このうち{20-21}面については研磨を行い、緑色LEDを試作した。特性の典型値として、駆動電圧V=4.2V(20 mA時), 理想因子n=6.5, 直列抵抗Rs=30 Ωを得た。以上のことから、本手法で作製したGaN基板がデバイスレベルで利用可能であることを実証することができた。

現在までの達成度 (区分)
理由

24年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

24年度が最終年度であるため、記入しない。

  • 研究成果

    (30件)

すべて 2013 2012 その他

すべて 雑誌論文 (4件) (うち査読あり 4件) 学会発表 (20件) (うち招待講演 5件) 備考 (1件) 産業財産権 (5件) (うち外国 3件)

  • [雑誌論文] Semipolar GaN growth on patterned sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      K. Yamane
    • 雑誌名

      Proc. of SPIE

      巻: 8625 ページ: 862503-1-7

    • DOI

      10.1117/12.2007376

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Fabrication of large freestanding semipolar {11-22} GaN films using r-plane patterned sapphire substrates2013

    • 著者名/発表者名
      H. Furuya
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 ページ: 08JA09

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Successful natural stress-induced separation of hydride vapor phase epitaxy-grown GaN layers on sapphire substrates2012

    • 著者名/発表者名
      K. Yamane
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 358 ページ: 1-4

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2012.07.038

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Reduction in Dislocation Density of Semipolar GaN Layers on Patterned Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      K. Yamane
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 5 ページ: 095503-095505

    • DOI

      10.1143/APEX.5.095503

    • 査読あり
  • [学会発表] 流量変調法を用いたハイドライド気相成長によるGaNの平坦性の改善2013

    • 著者名/発表者名
      山根啓輔
    • 学会等名
      平成25年春季第60回応用物理学会関係連合学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学,神奈川
    • 年月日
      20130327-20130330
  • [学会発表] ストライプ状SiO2 マスクを用いた大口径半極性面GaN の高品質化2013

    • 著者名/発表者名
      古家大士
    • 学会等名
      平成25年春季第60回応用物理学会関係連合学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学,神奈川
    • 年月日
      20130327-20130330
  • [学会発表] サファイア加工板上半極性面GaN のTEM による評価2013

    • 著者名/発表者名
      稲垣卓志
    • 学会等名
      平成25年春季第60回応用物理学会関係連合学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学,神奈川
    • 年月日
      20130327-20130330
  • [学会発表] Semipolar GaN substrate grown on patterned sapphire substrate by hydride vapor phase epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      K. Tadatomo
    • 学会等名
      DPG Spring Meeting (Deutschen Physikalischen Gesellschaft)
    • 発表場所
      Regensburug University, Regensburg, Germany
    • 年月日
      20130310-20130315
    • 招待講演
  • [学会発表] Semipolar GaN Growth on Patterned Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      K. Tadatomo
    • 学会等名
      SPIE, OPTO, Photonics West 2013
    • 発表場所
      Mscone Center, California, USA
    • 年月日
      20130202-20130207
    • 招待講演
  • [学会発表] Growth of Free Standing Semipolar GaN on Patterned Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      K. Tadatomo
    • 学会等名
      Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Tohoku University, Sendai, Japan
    • 年月日
      20121022-20121023
    • 招待講演
  • [学会発表] Hydride Vapor Phase Epitaxy growth of Semipolar GaN on Patterned Sapphire Substrates2012

    • 著者名/発表者名
      K. Yamane
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
    • 発表場所
      Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan
    • 年月日
      20121014-20121019
  • [学会発表] Growth of semipolar {20-21}GaN layers on patterned sapphire substrate with wide-terrace2012

    • 著者名/発表者名
      N. Okada
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
    • 発表場所
      Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan
    • 年月日
      20121014-20121019
  • [学会発表] Fabrication of large freestanding semipolar {11-22} GaN films using r-plane patterned sapphire substrates2012

    • 著者名/発表者名
      H. Furuya
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
    • 発表場所
      Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan
    • 年月日
      20121014-20121019
  • [学会発表] ハイドライド気相成長による非極性面GaNの低転位化メカニズム2012

    • 著者名/発表者名
      岡田成仁
    • 学会等名
      平成24年秋季第73回応用物理学会関係連合学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学,愛媛
    • 年月日
      20120911-20120914
  • [学会発表] 半極性面GaN中のすべり面による転位の発生2012

    • 著者名/発表者名
      石川明
    • 学会等名
      平成24年秋季第73回応用物理学会関係連合学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学,愛媛
    • 年月日
      20120911-20120914
  • [学会発表] r面サファイア加工基板を用いた大面積自立{11-22}GaNの作製2012

    • 著者名/発表者名
      古家大士
    • 学会等名
      平成24年秋季第73回応用物理学会関係連合学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学,愛媛
    • 年月日
      20120911-20120914
  • [学会発表] ハイドライド気相成長法によるGaNの選択横方向成長2012

    • 著者名/発表者名
      上野元久
    • 学会等名
      平成24年秋季第73回応用物理学会関係連合学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学,愛媛
    • 年月日
      20120911-20120914
  • [学会発表] Behavior of Hydride Vapor Phase Epitaxy-Grown GaN Layers on Sapphire Substrates in Successful Natural Stress-Induced Separation2012

    • 著者名/発表者名
      K. Yamane, M. Ueno, H. Furuya, N. Okada, K. Tadatomo
    • 学会等名
      39th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      University of California, California, USA
    • 年月日
      20120826-30
  • [学会発表] HVPE成長したr面サファイア加工基板上 {11-22} GaN2012

    • 著者名/発表者名
      古家大士
    • 学会等名
      平成24年応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会
    • 発表場所
      山口大学,山口
    • 年月日
      20120729-20120729
  • [学会発表] Growth of Semipolar GaN on Patterned Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      K. Tadatomo
    • 学会等名
      German-Japanese-Spanish Joint Workshop on Frontier Photonics and Electronic Materials and Devices
    • 発表場所
      Japanese-German Center Berlin, Germany
    • 年月日
      20120721-20120721
    • 招待講演
  • [学会発表] Spontaneous separation using the difference in coefficient of thermal expansion between the sapphire substrate and GaN layer grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      上野元久
    • 学会等名
      第31回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺, 伊豆
    • 年月日
      20120711-20120713
  • [学会発表] Selective area growth of semipolar GaN layers on patterned sapphire substrate with wide terrace by MOVPE and HVPE2012

    • 著者名/発表者名
      石川明
    • 学会等名
      第31回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺, 伊豆
    • 年月日
      20120711-20120713
  • [学会発表] ハイドライド気相成長法による非極性面GaNの厚膜成長2012

    • 著者名/発表者名
      只友一行
    • 学会等名
      第137回結晶工学分科会研究会
    • 発表場所
      京都テルサ,京都
    • 年月日
      20120615-20120615
    • 招待講演
  • [学会発表] サファイア加工基板上非極性面GaN厚膜のハイドライド気相成長2012

    • 著者名/発表者名
      山根啓輔
    • 学会等名
      第4回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      東京大学,東京
    • 年月日
      20120412-20120412
  • [備考] 山口大学大学院理工学研究科 物質工学系専攻半導体デバイス工学講座 只友研究室

    • URL

      http://device.eee.yamaguchi-u.ac.jp/

  • [産業財産権] 窒化ガリウム結晶自立基板の製造方法2013

    • 発明者名
      橋本健宏, 古家大士, 只友一行, 岡田成仁, 山根啓輔
    • 権利者名
      山口大学、株式会社トクヤマ
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      特願2013-46913
    • 出願年月日
      2013-03-08
  • [産業財産権] 半導体装置の製造方法及びIII―V族半導体の結晶成長方法2013

    • 発明者名
      山根啓輔, 只友一行, 岡田成仁
    • 権利者名
      山口大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      特願2013-47175
    • 出願年月日
      2013-03-08
  • [産業財産権] 自立基板の製造方法2013

    • 発明者名
      古家大士, 東正信, 只友一行, 岡田成仁, 山根啓輔
    • 権利者名
      山口大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      PCT/JP2013/001111
    • 出願年月日
      2013-02-26
    • 外国
  • [産業財産権] 半導体装置の製造方法2013

    • 発明者名
      古家大士, 東正信, 只友一行, 岡田成仁, 山根啓輔
    • 権利者名
      山口大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      PCT/JP2013/001112
    • 出願年月日
      2013-02-26
    • 外国
  • [産業財産権] 窒化ガリウム結晶自立基板およびその製造方法2013

    • 発明者名
      古家大士, 東正信, 只友一行, 岡田成仁, 山根啓輔
    • 権利者名
      山口大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      PCT/JP2013/56940
    • 出願年月日
      2013-03-13
    • 外国

URL: 

公開日: 2014-07-24  

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