研究課題
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次世代磁気抵抗メモリ(MRAM)のための硬磁性 L1_0 型規則合金層と酸化マグネシウム層と組み合わせた磁気トンネル接合 (MTJ) の形成技術の研究を行った。ヘテロエピタキシャル成長により原子レベル構造を制御した。平坦表面を持つ L1_0 型規則合金膜を形成する手法として、低温製膜後に高温熱処理を施す 2 段階法を提案した。 また、 2 段階法を MTJ形成に適応することにより、ギガビット級 MRAM 対応のエピタキシャル MTJ が形成可能であることが分かった。
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