| 研究課題/領域番号 |
23H00098
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分14:プラズマ学およびその関連分野
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| 研究機関 | 山形大学 |
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研究代表者 |
廣瀬 文彦 山形大学, 大学院理工学研究科, 教授 (50372339)
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| 研究分担者 |
有馬 ボシールアハンマド 山形大学, 大学院理工学研究科, 准教授 (30596549)
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| 研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2027-03-31
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| 研究の概要 |
本研究は、室温におけるOHラジカル励起法を用いた原子層堆積法による金属酸化物の成膜において、アトムレベルで濃度と膜厚を制御した複合酸化膜超格子製造技術を確立するため、膜表面における競合吸着反応の解明ならびに高内部エネルギー分子共吸着法、原子再配列促進、結晶化のための表面励起技術の開発を行う。
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| 学術的意義、期待される成果 |
本研究により、室温において金属複合酸化物を超格子にする技術が確立すると、結晶性を持つ複合酸化物による新しい機能材料の開発が可能となり、金属酸化物半導体開発への貢献などの波及効果が期待される。本研究の適用例として可視光触媒超格子膜の作成が成功すればその応用効果も期待できる。
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