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2023 年度 審査結果の所見

量子井戸混合を用いたIII-V族半導体薄膜光集積回路の基盤技術構築

研究課題

研究課題/領域番号 23H00172
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
審査区分 中区分21:電気電子工学およびその関連分野
研究機関東京大学

研究代表者

竹中 充  東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (20451792)

研究期間 (年度) 2023-04-01 – 2027-03-31
研究の概要

光集積回路を志向したIII-V族半導体CMOSフォトニクスプラットフォームを構築しようという研究である。本研究の根底には、リン分子イオン注入を用いた半導体量子井戸混合という独自の技術が盛り込まれており、次世代の光通信技術への応用を目指している。

学術的意義、期待される成果

リン分子イオン注入を用いた量子井戸混合手法を新たに開発し、その物理機構を解明するという学術的意義を有する。また、成果としては、受動導波路、レーザー、光変調器、受光器を一体集積可能な次世代光通信用集積回路プラットフォームの基盤技術の構築が期待される。

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公開日: 2023-07-04  

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