| 研究課題/領域番号 |
23H00176
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分21:電気電子工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
林 将光 東京大学, 大学院理学系研究科(理学部), 准教授 (70517854)
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| 研究分担者 |
中村 浩次 三重大学, 工学研究科, 教授 (70281847)
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| 研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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| 研究の概要 |
3端子型MRAMの実現を目指して、これまでのスピンホール効果を用いたスピン流生成手法ではなく、軌道ホール効果による「軌道流」という新しい角運動量の流れを利用して高効率の磁化制御技術へと発展させようという研究である。
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| 学術的意義、期待される成果 |
軌道流を実験的に捉えるために、応募者の構築した超高感度磁気光学測定を利用してスピン流の効果と軌道流の効果を区別して検出することや、軌道角運動量の大きな系での緻密な実験が計画されており、それを実現した場合には大きなインパクトと波及効果が期待される。
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