| 研究課題/領域番号 |
23H00250
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
石川 史太郎 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 教授 (60456994)
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| 研究分担者 |
村山 明宏 北海道大学, 情報科学研究院, 教授 (00333906)
長島 一樹 北海道大学, 電子科学研究所, 教授 (10585988)
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| 研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2027-03-31
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| 研究の概要 |
半導体と酸化物を高度に融合させた電子材料ナノワイヤの大容量化とその機能開拓を行う研究である。独自の材料提案から、シリコンテクノロジーとの融合、大出力化、新量子機能発現により電子材料のナノ-マクロを繋ぐ学術基盤を構築するものである。
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| 学術的意義、期待される成果 |
Siウエファ上に大面積・均質・高品質なIII-V族半導体ナノワイヤを積層することで、シリコンテクノロジーと融合可能な大出力光電変換を実現できる可能性がある。さらに、半導体ナノワイヤと酸化物を融合させた材料開拓、光・電子・スピン機能開拓からナノワイヤの未踏機能を探求するという挑戦性や新しい学術の側面も有している。
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