| 研究課題/領域番号 |
23H00275
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分30:応用物理工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
森 勇介 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (90252618)
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| 研究分担者 |
今西 正幸 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (00795487)
宇佐美 茂佳 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (30897947)
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| 研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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| 研究の概要 |
GaN自立ウエハはGaNを用いたトランジスタの普及に必要不可欠であるが、現在までに提案されているGaNバルク育成法においてGaN結晶が六角錘状に成長して口径が縮小していく大きな問題がある。研究代表者らは、酸化ガリウムを原料とするオキサイド気相成長法における3次元成長モードとウェハ端面の無極性面成長を利用することで、GaN結晶の錘状化を抑制し、高品質・超厚膜インゴットの製作を実証する。
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| 学術的意義、期待される成果 |
酸化ガリウムを原料とするオキサイド気相成長において、無極性面成長の発現を見出し、特異的な3次元成長モードを用いることにより、従来より問題になっていたGaNの口径縮小の問題を解決し、口径拡大したGaNインゴットを作製可能になることが期待される。また、高温・高水素分圧条件でのプロセスの導入により、高品質なGaN高速成長も期待される。
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