研究課題
基盤研究(S)
本研究は、Eu添加した窒化ガリウム（GaN）において、Eu周辺局所構造に着目した「イントリンジック制御」とEu発光中心が感じるフォトン場に着目した「エクストリンジック制御」を融合させ、GaN母材からのエネルギー輸送が極端に高いEu発光中心のみを選択的に形成し、その微視的構造を実験的／理論的に明らかにするとともに、フォトン場を作用させて、Eu発光機能の究極を抽出することに挑戦する。
本研究の推進によって、Eu添加GaNにおいて、キャリア注入により誘起されるEu内殻遷移を高効率化するための指針が得られるとともに、超高輝度赤色発光の実現に向けた新たな学理への展開が期待できる。
