| 研究課題/領域番号 |
23H05469
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| 研究種目 |
基盤研究(S)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
大区分E
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
北浦 良 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, グループリーダー (50394903)
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| 研究分担者 |
松田 一成 京都大学, エネルギー理工学研究所, 教授 (40311435)
岩崎 拓哉 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 独立研究者 (50814274)
岡田 晋 筑波大学, 数理物質系, 教授 (70302388)
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| 研究期間 (年度) |
2023-04-12 – 2028-03-31
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| 研究の概要 |
本研究は、原子スケールの精緻な接合構造の創出法を土台として、二次元物質にゼロ次元状態（人工原子）を高精度に埋め込む技術の開発を目指す。この構造制御技術を基盤として多彩な人工原子配列系を世界に先駆けて実現し、人工原子をQubitとした量子技術への展開、人工原子格子をHubbard格子とした強相関系への展開など広範な領域にインパクトを与える新物質科学を拓くことを目指す。
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| 学術的意義、期待される成果 |
従来の半導体製造法を高度化することにより、原子レベルの精度で薄膜の積層や接合を可能とする技術を確立している点で、学術的意義は極めて高い。二次元構造を精密に制御することにより、その境界として一次元構造を作り出し、さらに一次元構造の交差点としてゼロ次元構造（人工原子）を実現するという世界的にも例を見ないナノ構造の創出を通じて、物性科学や量子情報処理等への展開が期待される。
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