| 研究課題/領域番号 |
23K04750
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| 研究機関 | 福井大学 |
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研究代表者 |
吉見 泰治 福井大学, 学術研究院工学系部門, 教授 (30345673)
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| 研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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| キーワード | 光レドックス反応 / HAT反応 / 安息香酸 / カルボキシラジカル |
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| 研究実績の概要 |
HAT 反応は、ラジカルにより通常反応では反応させることが困難な sp3性 C－H 結合を開裂させ、そこに官能基を導入できる優れた手法である。従来法では、ラジカル開始剤の加熱が必要なため、生成するラジカルが様々な副反応を引き起こしてしまい、合成的に有用な反応例が少なかった。本研究では、室温かつ温和な条件でラジカルを生成できる光レドックス反応を利用して、これらの問題点の解決を試みた。報告者が見出した 2 分子系光レドックス触媒を用いた安息香酸から生成するカルボキシラジカルを HAT 触媒として働かせ、基質からの水素引き抜きによるアルキルラジカル生成と、それに続くラジカル反応の開発を行った。実際に、水素を引き抜きことが容易な2-メチル-1,3-ジオキソランを基質として過剰量用いることで、安息香酸の光レドックス反応によって生成するカルボキシラジカルがその水素を引き抜いてアルキルラジカルが生成し、アクリロニトリルに付加したラジカル付加体を良い収率で得ることに成功した。さらに、その安息香酸もほぼ回収できた。今現在、基質一般性やアルケンの種類の検討を行っている。アルケンとして電子アクセプター性であるアクリル酸エステルなども利用できることがわかってきている。また、基質として環状エーテルやアルコールなども検討している。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
1: 当初の計画以上に進展している
理由
１年目は効率的な反応条件や基質の設定が目標であったが、幸運なことに良い反応条件を見つけることができ、２年目や３年目の予定である基質一般性やアルケンの種類の検討まで行えている。これら基質・アルケン・安息香酸の置換基検討を行った後、さらなる反応条件の最適化を行う予定である。
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| 今後の研究の推進方策 |
最適な基質・アルケン・安息香酸の置換基を見出し、その濃度効果を検討する予定である。現在まで、基質が大過剰（１００当量）必要であり、最適化により、この濃度を低くし、安息香酸の光反応によるHAT反応の有用性を明らかにしていく。
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