誤り耐性型量子コンピューターに向けたアモルファス超伝導回路の創生

2023 年度 審査結果の所見

• 研究課題/領域番号: 23K17354
• 研究種目: 挑戦的研究(開拓)
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 中区分29:応用物理物性およびその関連分野
• 研究機関: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
• 研究代表者: 原田 尚之 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 独立研究者 (90609942)
• 研究期間 (年度): 2023-06-30 – 2026-03-31

研究の概要

高度な誤り耐性型量子コンピューターの実現を目指し、多量子ビット化を可能にする「高いQ値」、「大面積化」、「3D集積」に有利な新しい材料の開発を目指す研究である。従来広く注目されてきた高いQ値を実現する上で有利な単結晶エピタキシャル構造ではなく、大面積化、3D集積に有利なアモルファス材料に着目し、その高Q値化を目指している。

学術的意義、期待される成果

量子コンピューターの多量子ビット化を可能にする材料として、アモルファス材料に注目する点が新規性と独自性に富んでいる。また、本来アモルファス材料では不利と考えられてきた高いQ値を実現するために、絶縁体材料や超伝導体材料の特徴や性質を検討し、それらを生かそうとする点が学術的に意義深い。本研究の成功により誤り耐性型量子コンピューターの技術に革新的なブレイクスルーがもたらされると期待される。