| 研究課題/領域番号 |
23K17356
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| 研究種目 |
挑戦的研究(開拓)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
中区分30:応用物理工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 一般財団法人ファインセラミックスセンター |
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研究代表者 |
姚 永昭 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 主任研究員 (80523935)
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| 研究分担者 |
石川 由加里 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 特任主幹研究員 (60416196)
菅原 義弘 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 上級研究員 (70466291)
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| 研究期間 (年度) |
2023-06-30 – 2027-03-31
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| 研究の概要 |
独自に開発した放射光X線回折技術を駆使して、実動作中（電流または電圧印加中）のパワー半導体（SiC、GaN、Ga2O3など）デバイスにおける転位の挙動を3次元（空間）的かつリアルタイムに観察しようとする研究である。これまでの2次元（面内方向）観察を５次元に発展させるアイデアに高い挑戦性を有している。
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| 学術的意義、期待される成果 |
パワー半導体はカーボンニュートラルの実現に欠かせない重要な半導体デバイスであり、その中の転位の挙動の解明は信頼性の向上に極めて重要である。この意味においては、本研究が成功することにより、パワー半導体デバイスの開発にブレークスルーをもたらす可能性が考えられ、産業的インパクトが非常に高い。
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