| 研究課題/領域番号 |
21H01398
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究機関 | 慶應義塾大学 |
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研究代表者 |
津田 裕之 慶應義塾大学, 理工学部(矢上), 教授 (90327677)
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| 研究分担者 |
斎木 敏治 慶應義塾大学, 理工学部(矢上), 教授 (70261196)
桑原 正史 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 上級主任研究員 (60356954)
河島 整 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 総括研究主幹 (90356840)
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| 研究期間 (年度) |
2021-04-01 – 2025-03-31
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| キーワード | 光スイッチ / 相変化材料 / シリコン光導波路 / シリコンフォトニクス / 自己保持 / 結晶 / アモルファス |
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| 研究実績の概要 |
・シリコン光導波路上でGST、GSSTおよびMnTe等の相変化材料を装荷した場合について、相変化に伴う伝搬光の位相変化から必要な相変化材料薄膜の構造を明らかにした。シリコン光導波路上でGST、GSSTおよびMnTe等の相変化材料を装荷する部分は、作製に利用するステッパ分解能を考慮して、長さ100ミクロンのテーパ導波路により、2.0ミクロンまで幅を広げる。
・クロスポイント型光駆動光スイッチの設計を行い、GSTでは一つ、GSSTでは二つのクロスポイントで光スイッチ動作に必要な位相変化が得られることを確認した。マッハツェンダー光回路に複数の交差部を設けて、二つのアームを伝搬する光において180度の位相差が得られるようにする。プッシュプル動作のためにマッハツェンダー光回路の二つのアームには、90度の位相差を与えている。
・電気駆動型相変化光スイッチの相変化材料装荷部として、pin加熱型、導波路加熱型、TiNヒータ加熱型の伝熱シミュレーションを実施した。pin加熱型が最も効率よく相変化材料を昇温できることを明らかにした。
・相変化材料装荷用シリコン光回路の設計を行い、また、試作した回路の損失波長特性を評価して、装荷部付加による過剰損失が1.0～1.8 dBであることが分かった。
・シリコン光回路に相変化材料を装荷して光スイッチを作製するための相変化光スイッチプロセス用マスクの設計と試作を行った。加熱構造による電気駆動型相変化光スイッチ、クロスポイント型の光照射による光駆動型相変化光スイッチが含まれる。
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| 現在までの達成度 (段落) |
令和5年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
令和5年度が最終年度であるため、記入しない。
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