| 研究課題/領域番号 |
22H01815
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究機関 | 滋賀県立大学 |
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研究代表者 |
仲村 龍介 滋賀県立大学, 工学部, 教授 (70396513)
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| 研究分担者 |
石丸 学 九州工業大学, 大学院工学研究院, 教授 (00264086)
佐道 泰造 九州大学, システム情報科学研究院, 准教授 (20274491)
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| 研究期間 (年度) |
2022-04-01 – 2025-03-31
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| キーワード | 半導体 / アモルファス / 結晶化 / 電子ビーム |
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| 研究実績の概要 |
ゲルマニウム（Ge）-スズ（Sn）混晶薄膜は，主流のシリコン（Si）そしてGeを凌駕する電気および光学特性をもつ次世代の半導体デバイス材料として有望である．Snを極力高濃度に固溶した結晶薄膜を低温で作製することを実用化の第一ハードルとして，国内外で活発な研究が繰り広げられている．本研究では，弱い電子ビームによる「非加熱方式」により，瞬間的かつ広域な結晶成長を促す方法の確立を目指す．(1) この手法の有効性を実証し，(2) 瞬間結晶化（爆発的結晶化）が生じる構造的要因を明らかにし，そして，(3) 得られた結晶膜の電気特性を評価する．Geの性能を超えるGeSn結晶薄膜の非加熱方式作製技術の確立を最終目標とする．
今年度は(1)の研究として，基板フリーのアモルファスGeSn試料に対して1－20keVの電子ビームをアモルファスGeSn試料に照射し，爆発的結晶化が起こる電子ビームの条件とSnの最大濃度を明らかにする研究を実施した．3keVで結晶化に必要な電子フラックスは低く効率よく結晶化が起こることがわかった．そして，20at.%Snのアモルファス薄膜において爆発的結晶化が起こることがわかった．
(2)の研究として，透過型電子顕微鏡を用いてアモルファスGeSnの二体分布関数を求めた．20at.%Snを超えると，原子間距離が顕著に長くなりアモルファス構造に明瞭な変化が生じることがわかった．この濃度を超えると，電子ビームによる結晶化においてSnの析出が顕著になり爆発的結晶化が阻害されることがわかった．
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
基板フリーのアモルファスGeSn試料に対して1－20keVの電子ビームをアモルファスGeSn試料に照射し，爆発的結晶化が起こる電子ビームの条件とSnの最大濃度を明らかにする研究を実施した．研究実績に記載のとおり，両者ともに計画通りに進展し基礎データを得ることができた．
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| 今後の研究の推進方策 |
2022年度の研究では，基板フリーの薄膜においては爆発的結晶化が生じる電子ビーム条件を明らかにした．3keVの電子ビームで最も効率よく結晶化が起こる．2023年度には，ガラスまたはポリマー基板に薄膜を成膜した試料に対して，3keVの電子ビームを照射して爆発的結晶化を実証する．順調に進展すれば，結晶膜試料の電気測定の予備実験を進める．また，X線光電子分光法や軟X線発光分光法によりアモルファス試料の結合状態を分析し，爆発的結晶化とSn濃度の関係を調査する．
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