| 研究課題/領域番号 |
22H01914
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究機関 | 関西大学 |
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研究代表者 |
山本 真人 関西大学, システム理工学部, 准教授 (00748717)
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| 研究分担者 |
上野 啓司 埼玉大学, 理工学研究科, 教授 (40223482)
麻生 亮太郎 九州大学, 工学研究院, 准教授 (40735362)
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| 研究期間 (年度) |
2022-04-01 – 2026-03-31
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| キーワード | 二次元物質 / 遷移金属ダイカルコゲナイド / 抵抗変化メモリ / WSe2 / VSe2 |
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| 研究実績の概要 |
2023年度は遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)原子層を均一に酸化させるためのプラズマ酸化装置を導入した。そして、TMDC原子層を大気アニール、オゾン処理、プラズマ処理の各方法で酸化し、得られたTMDC表面上の極薄酸化膜を利用して抵抗変化メモリの作製を試みた。その結果、オゾン処理したWSe2に対してAgを電極として用いると、Agに負の電圧を印加することで低抵抗化し、正の電圧を印加すると高抵抗化するバイポーラ型の動作を示すことが分かった。これは昨年度に報告したオゾン酸化させたWSe2に対してNiを用いた場合のユニポーラ動作とは異なるものであり、Agを用いることでWSe2上に形成した酸化膜内に多数の酸素空孔が形成され、酸素空孔の移動により抵抗変化したものと考えられる。一方、WSe2をプラズマ酸化させたものにAgを電極として用いると、Agに正の電圧を印加すると低抵抗化し、負の電圧で高抵抗化するバイポーラ動作を示すことが分かった。この結果はWSe2をプラズマ酸化させた場合は比較的ストイキオメトリックな酸化膜が形成され、オゾン酸化の場合とは異なりAgイオンが移動することで抵抗変化動作していることを示唆するものである。
また、2023年度は酸化反応性の高いVSe2を利用した抵抗変化メモリの作製も試みた。自然酸化膜を有するVSe2に対してNiを電極として利用すると、WSe2と同様にユニポーラ型の動作を示すことが分かった。一方Agを電極として用いると、Agに負の電圧を印加すると低抵抗化し、正の電圧で高抵抗化するバイポーラ型の動作が観察され、オゾン酸化させたWSe2と同様の振る舞いを示した。以上の結果より、ストイキオメトリーからずれたTMDC上の酸化膜に対してAgを用いるとことで、比較的低電圧かつ安定なバイポーラ抵抗変化動作を実現できることが分かった。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
2023年度は抵抗変化メモリへの応用に必要不可欠な、安定かつ低電圧抵抗変化動作する遷移金属ダイカルコゲナイドの酸化条件と金属材料を明らかにしたため。
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| 今後の研究の推進方策 |
2024年度は、オゾン酸化およびプラズマ酸化したWSe2に対してAgを用いた抵抗変化メモリに保持特性、繰り返し耐性、動作速度、動作電圧のばらつきを調べることで応用への可能性を検討する。また、それらのメモリ特性がオゾン処理時の温度やプラズマ処理の出力に対してどのように変化するかを系統的に調べ、メモリ特性の最適化を行う。自然酸化膜を有するVSe2に対しても同様の抵抗変化メモリ特性の解析を行う。また、VSe2に対してもオゾン処理やプラズマ処理を行い、メモリ特性を評価する。
さらに2024年度はWSe2およびVSe2で観察された抵抗変化動作のメカニズムを明らかにするために、電子顕微鏡、X線光電子分光、原子間力顕微鏡を用いて遷移金属ダイカルコゲナイド/酸化物ヘテロ構造の構造解析や元素分析を行い、メモリ特性の最適化に向けた知見の構築を行う。
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