| 研究実績の概要 |
【配位子設計と合成】嵩高く強い電子ドナー性を有するテトラアルキルグアニジノ基を導入した一連の二座、三座、および、四座配位子を合成した。テトラアルキルグアニジノ基は、その強い電子ドナー性により金属の高原子価状態を安定化し、その嵩高さにより単核の活性酸素錯体の失活を抑えることができる。また、強い塩基性を有しているため、基質からのプロトン引き抜き反応を加速することができるとともに、水素結合受容体としての機能も期待できる。本年度は、銅中心の配位構造を精密に制御するために、cis,cis-1,3,5-Triamino-cyclohexane (tach)やTris(2-aminoethyl)amine] (tren)、さらに、Diethylenetriamine) (dien)の骨格にテトラメチルグアニジノ基 (TMG)を導入した配位子を設計して用いた。tach、tren、および、dien配位子は、銅中心の構造を、それぞれ、四面体型、三方両錐型、および、平面型に規制することが出来る。さらに、レドックス活性な二座配位子であるフェニレンジアミン部位にTMG置換基を導入した配位子を合成し、分子状酸素の活性化に及ぼす金属中心と配位子の共同作用機構についても検討した。
【銅(I)および銅(II)錯体の合成と構造および物性の評価】 調製した各配位子を用いて銅(I)および銅(II)錯体を合成し、構造と各種分光学的特性を明らかにするとともに、酸化還元電位を決定した。得られたデータをもとに、銅錯体の構造と物性の相関関係を明らかにした。
【銅(I)および銅(II)錯体の反応性】 分子状酸素や過酸化水素、および過酸との反応について検討した。生成した銅錯体については、 紫外可視吸収スペクトルや電子スピン共鳴スペクトルを測定して、電子構造や磁気的特性を明らかにした。安定な錯体については単離・結晶を試みた。
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