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2015 年度 研究成果報告書

究極デバイスとしてのダイヤモンド基板の革新的超精密加工プロセスへのブレークスルー

研究課題

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研究課題/領域番号 24226005
研究種目

基盤研究(S)

配分区分補助金
研究分野 生産工学・加工学
研究機関九州大学

研究代表者

土肥 俊郎  九州大学, 産学連携センター, 特任教授 (30207675)

研究分担者 佐野 泰久  大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (40252598)
黒河 周平  九州大学, 大学院工学研究院, 教授 (90243899)
連携研究者 大西 修  宮崎大学, 工学教育研究部, 准教授 (50315107)
畝田 道雄  金沢工業大学, 工学部, 教授 (00298324)
研究協力者 會田 英雄  並木精密宝石(株), NJC研究所, 所長
研究期間 (年度) 2012-05-31 – 2016-03-31
キーワードプラズマ融合CMP / 加工効率 / 表面粗さ / 難加工材料 / フェムト秒レーザ / CMP / P-CVM / 疑似ラジカル場
研究成果の概要

グリーンデバイス用ダイヤモンド、GaN、SiCなど超難加工材料の高効率加工技術の確立を目指し、基板に疑似ラジカル場を付与する前処理工程(1)、および世界初の“Plasma fusion CMP(プラズマ融合CMP)”工程(2)を提案した。
(1)フェムト秒レーザ照射によってアモルファス化・微細リップル構造化され、化学的安定している表面が酸化される相乗効果で研磨/CMPが促進されることを明らかにした。
(2)プラズマ融合CMP の2方式機種(A-type:基本型, B-type:挑戦型)を考案・試作した。本加工法で仕上げたダイヤモンド基板へのエピ成長を試みデバイス形成に適す表面であることを実証した。

自由記述の分野

超精密加工技術とその応用

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公開日: 2017-05-10  

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