| 研究課題/領域番号 |
24241040
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
高木 紀明 東京大学, 新領域創成科学研究科, 准教授 (50252416)
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| 研究分担者 |
荒船 竜一 独立行政法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 独立研究者 (50360483)
塚原 規志 東京大学, 新領域創成科学研究科, 助教 (80535378)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| キーワード | シリセン / ハニカム構造 / 表面界面 / ナノ構造 |
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| 研究実績の概要 |
（１）多層シリセンの電子状態
多層シリセンをAg(111)基板に成長させ、層ごとの電子状態の違いに注目して研究を進めた。Ag(111)基板と直接相互作用している第１層目について、STSを使って試料電圧の関数として準粒子干渉パターンを測定し電子状態を調べた。干渉パターンのフーリエ変換から逆格子ベクトルを決定し、シリセンにおける準粒子のエネルギー分散関係を決定した。換算質量0.14m（mは自由電子の質量）の軽い自由電子的な電子状態が存在することがわかった。一方、１層目シリセンの上に島状に成長した２層目や３層目のシリセンのSTSスペクトルには、多数のピーク構造が観測された。これらのピークは、準粒子の閉込めによる離散準位の形成によって説明できることがわかった。換算質量0.14mと0.3m程度の２種類の電子を仮定することでピーク構造を説明できる。これらは、多層シリセンには２種類の伝導電子が存在することを示している。
（２）シリセン創成のための基板の探索
第一原理計算により、h-BN単原子膜で修飾したCu(111)基板上のシリセンの安定性を検討した。シリセンは、この基板上に安定に存在できること、Dirac電子系特有の線形バンドがクロスする電子状態を有することがわかった。h-BN膜がない場合は、シリセンのハニカム構造が大きくバックルすること、基板の電子系との強い混成によりDirac電子系が大きく変調されることもわかった。Ni(111)基板上のh-BN膜についても同様の計算を行い、シリセンが安定に存在することが示された。
（３）Ag(111)基板上に生成したシリセンについて、これまで得られた成果を総説論文としてまとめProgress in Surface Science誌で発表した。
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| 現在までの達成度 (段落) |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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