| 研究課題/領域番号 |
24241040
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(A)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
ナノ構造科学
|
|---|
| 研究機関 | 東京大学 |
|---|
研究代表者 |
高木 紀明 東京大学, 新領域創成科学研究科, 准教授 (50252416)
|
|---|
| 研究分担者 |
荒船 竜一 物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 独立研究者 (50360483)
塚原 規志 東京大学, 大学院新領域創成科学研究科, 助教 (80535378)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
|
| キーワード | シリセン / 表面界面 / Dirac電子系 / シリコン / ハニカム構造 |
|---|
| 研究成果の概要 |
Ag基板上にSi原子を蒸着した際に生じるSi原子からなる2次元構造体の幾何構造と電子物性を、走査トンネル顕微鏡、低速電子回折、密度汎関数第一原理計算等を用いて研究した。複数の超構造を確認し、そのなかで単相で生成する４x４超構造について詳細に検討した。第一原理計算や電子回折による構造解析から、４x４超構造はSi原子がハニカム格子を組む二次元表面物質（シリセン）であることを明らかにした。その電子状態は、基板との強い混成によって、Dirac電子系から大きく変調されていることも明らかにした。h-BN単原子シートで金属基板を覆うことで、Dirac電子系を有するシリセンが得られることを理論的に示した。
|
| 自由記述の分野 |
表面科学
|
