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リソグラフィを用いず低欠陥・低汚染細孔エッジを持つ蜂の巣状ナノ細孔アレイをグラフェン上に70%以上の再現確率で創製(グラフェンナノメッシュ(GNM)の創製)することに成功し、臨界温度アニールでそのエッジをzigzag型原子配列に制御、平坦バンド強磁性を実現した。このGNM上に特殊レジストを塗布、電子線照射量で制御し、zigzag配列のダングリングボンドを１個の水素原子で終端する方法を確立、従来の100倍以上の高効率磁石創製に成功した。この磁性GNMを電極とするTMR構造を創製し、２０％を超えるTMR特性の創出に成功した。希少磁性元素無しで実現する高効率磁石とスピントロニック素子の道を拓いた。
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