| 研究課題/領域番号 |
24246003
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
鷲尾 勝由 東北大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (20417017)
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| 研究分担者 |
櫻庭 政夫 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (30271993)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| キーワード | ゲルマニウム / カーボン / サーファクタント / 緩和 / シリコン / 機能融合 / ドット / 自己組織 |
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| 研究成果の概要 |
機能融合デバイス創生を目指し、カーボン(C)をサーファクタント媒介とした、Si基板上の緩和Ge薄膜結晶の形成技術を検討した。界面Si-C結合やSi-CとGe-C結合の同時形成により、ほぼ100%緩和したGe薄膜が形成できることを実証した。さらに、Si(100)表面をSi-C結合の形成を利用してc(4x4)再構成することにより、Ge量子ドットの自己組織的形成に向けた知見を得た。
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| 自由記述の分野 |
半導体工学
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