2014 年度研究成果報告書

発振波長が温度に依存しない希釈ビスマスⅢ‐Ⅴ族半導体レーザの実現

研究課題

研究課題/領域番号	24246008
研究種目	基盤研究(A)
配分区分	補助金
応募区分	一般
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	京都工芸繊維大学
研究代表者	吉本昌広京都工芸繊維大学, 工芸科学研究科, 教授 (20210776)
連携研究者	尾江邦重京都工芸繊維大学, 名誉教授 (20303927)
研究期間 (年度)	2012-04-01 – 2015-03-31
キーワード	レーザダイオード / III-V族半導体 / 半金属 / 分子線エピタキシー / レーザ / 結晶成長 / ビスマス / 局在準位
研究成果の概要	半導体半金属混晶GaAsBiを用いることで、発振波長が温度に依存しない光通信用半導体レーザの実現が期待される。分子線エピタキシャル法を用いて、高品質なGaAsBiを得た。Bi組成9.5%のGaAsBi薄膜から、室温において通信波長帯である1.3μmで発光が得られた。GaAsBiレーザダイオード(LDs)を試作し，最大波長1045 nmでの室温レーザ発振を実現し、その発振波長の温度係数が低減できることを世界で初めて実証した。
自由記述の分野	半導体工学