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2014 年度 研究成果報告書

Si基板を用いた縦型大面積・高出力深紫外LEDの研究

研究課題

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研究課題/領域番号 24246010
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関独立行政法人理化学研究所

研究代表者

平山 秀樹  独立行政法人理化学研究所, 平山量子光素子研究室, 主任研究員 (70270593)

研究分担者 藤川 紗知恵  理化学研究所, 平山量子光素子研究室, 研究員 (90550327)
研究期間 (年度) 2012-04-01 – 2015-03-31
キーワード深紫外LED / AlGaN / AlN / MOCVD / Si基板 / 縦型LED / 光取りだし効率 / 内部量子効率
研究成果の概要

深紫外LEDは、医療、殺菌・浄水、生化学産業などへ応用においてその高出力化が期待されている。しかし、サファイア基板上に形成された深紫外LEDでは、横注入構造のため高出力化が難しく、また光取り出し効率が低い。本研究では、Si基板上にAlGaN深紫外LEDを形成することにより、縦型・大面積化を実現しその高出力化を実現することを目的とする。
研究では、2次元格子状パターン加工基板上にAlN成長を行いクラックの無い良好なAlNバッファーを形成し、深紫外LEDのミリワット動作に成功した。また、透明p型AlGaNコンタクトと高反射電極を導入することにより、深紫外LEDの光取り出し効率を大幅に向上させた。

自由記述の分野

量子電子・光デバイス工学 半導体工学

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公開日: 2016-06-03  

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