|
深紫外LEDは、医療、殺菌・浄水、生化学産業などへ応用においてその高出力化が期待されている。しかし、サファイア基板上に形成された深紫外LEDでは、横注入構造のため高出力化が難しく、また光取り出し効率が低い。本研究では、Si基板上にAlGaN深紫外LEDを形成することにより、縦型・大面積化を実現しその高出力化を実現することを目的とする。
研究では、2次元格子状パターン加工基板上にAlN成長を行いクラックの無い良好なAlNバッファーを形成し、深紫外LEDのミリワット動作に成功した。また、透明p型AlGaNコンタクトと高反射電極を導入することにより、深紫外LEDの光取り出し効率を大幅に向上させた。
|
