| 研究課題/領域番号 |
24246048
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| 研究機関 | 豊橋技術科学大学 |
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研究代表者 |
滝川 浩史 豊橋技術科学大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (90226952)
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| 研究分担者 |
清原 修二 舞鶴工業高等専門学校, 電子制御工学科, 准教授 (40299326)
金子 智 神奈川県産業技術センター, その他部局等, 研究員 (40426359)
山田 健二 石川工業高等専門学校, 電気情報工学科, 准教授 (50249778)
羽渕 仁恵 岐阜工業高等専門学校, 電子情報工学科, 准教授 (90270264)
田上 英人 北九州工業高等専門学校, 電気電子工学科, 講師 (50580578)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| キーワード | フィルタードアーク蒸着 / ダイヤモンドライクカーボ ン膜 / 微細加工 / ナノテクノロジー / パターニング / エッチング / MEMS |
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| 研究実績の概要 |
真空中で発生させたアーク放電プラズマを用い、異物レスで均質な高品質ダイヤモンドライクカーボン（DLC）薄膜を形成可能なセミオート化フィルタードアーク蒸着装置を用い、Si基板上への均一なDLC膜の創製を行うとともに、同DLC膜の微細加工を実施した。本年度では、特にDLC膜の加工性に関する研究を進めた。
ナノインプリント法によるDLCのナノ加工において、マスク材とDLC膜のエッチング速度の関係から、適切なマスク材・エッチング条件の特定を試みた。これまでDLCナノ加工のためのパターニングマスク材には、ポリシロキサンを使用してきたが、パターン形成の観点から、主成分を酸化シリコンとするHSQ（Hydrogen Silsesquioxane）膜を新たなパターニングマスク材とした。HSQ膜に対するDLC膜のエッチング選択比におけるイオンエネルギー依存性を明らかにした。ECR CHF3およびO2イオンシャワー加工によるエッチング速度のイオンエネルギー依存性から、HSQ膜の最適除去条件およびDLC膜の最適加工条件を見出した。本研究成果により、直径500nm、高さ400nmの先鋭化したDLCナノドットアレイパターンが形成できた。
昨年度までの研究成果により得られた高品質水素フリーDLC膜を用い、ナノサイズDLC構造を実現した。高品質水素フリーDLCを基材としたナノ構造体は、今後MEMSや電子デバイス等への応用が期待される。
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| 現在までの達成度 (段落) |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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