| 研究課題/領域番号 |
24246049
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電力工学・電力変換・電気機器
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| 研究機関 | 大阪府立大学 |
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研究代表者 |
藤村 紀文 大阪府立大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (50199361)
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| 研究分担者 |
吉村 武 大阪府立大学, 工学研究科, 准教授 (30405344)
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| 連携研究者 |
石原 正行 大阪府立大学, 工学研究科, 准教授 (60283339)
小出 康夫 独立行政法人物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニット, グループリーダー (70195650)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2016-03-31
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| キーワード | 強誘電体 / パワーデバイス / MOSFET / 極性半導体 |
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| 研究成果の概要 |
強誘電体の巨大な分極をパワーMOSFETに応用するための検討を行った。強誘電体として、残留分極80microC/cm2以上、d33圧電定数90pm/Vを有する薄膜を得る技術を確立し、大気圧プラズマを用いて低ドナー濃度のGa2O3やZnOパワー半導体を作成することに成功した。BiFeO3、P(VDF-Te(Tr)FE)]、 YMnO3を用いて応力場・ひずみ場・電位分布・分極分布・キャリア分布などが誘電特性、電子状態に及ぼす影響を詳細に検討した。強誘電体の自発分極によって、移動度が向上する、バンドオフセットなしでキャリア閉じ込めが見出され、本分野の大きな発展に帰する成果を得ることが出来た。
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| 自由記述の分野 |
酸化物エレクトロニクス
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