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ナノシリコン弾道電子源の還元活性に基づく新しい液相薄膜堆積の基礎検討を行い、以下の知見を得た。先ず弾道電子を溶液に注入したさいの電気化学効果を解析し、従来の電解メッキおよび電子ビーム誘起分解のいずれとも異なる還元作用が溶液界面で生じていることを明らかにした。その上で、この現象が金属および半導体（Si、Ge、SiGe）の薄膜成長をもたらすことを確認し、反応モデルにより堆積レートを定式化した。また、堆積した薄膜の構造・組成評価を行い、汚染フリーの室温プロセスとしての特長を実証した。さらに、対向基板上へ電子を近接照射するプリンティング方式を試み、Cu薄膜でその有効性を確認した。
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